[据硅半导体网站2019年11月27日报道]  2019年11月，在台湾举行的格罗方德公司技术会议（GTC）上，格罗方德公司（GF）公司和SiFive公司宣布，他们正在努力通过基于GF最近公布的12LP+
FinFET解决方案的高带宽存储器（HBM2E），并结合其2.5D封装设计服务，来提高高容量DRAM的性能水平，进而加快人工智能（AI）应用程序投入市场的时间。

为了实现数据密集型AI训练应用程序的容量和带宽，系统设计人员们面临的挑战是在保持合理的功率分布的同时将更多的带宽压缩到较小的区域。SiFive公司在GF的12LP平台和12LP+解决方案上的可定制的高带宽内存接口将使高带宽内存轻松集成到片上系统（SoC）解决方案中，从而为计算和有线基础设施市场中的AI应用程序提供快速、节能的数据处理设备。

作为合作内容的一部分,设计人员也将充分利用SiFive公司的RISC-V
IP套件和DesignShare
IP生态系统，它们可以通过利用GF公司的12LP+设计技术进行协同优化（DTCO），使他们能够显著提高器件的专业化，提高设计效率，快速高效地提供差异化的SoC解决方案。

SiFive公司的IP业务部门副总裁兼总经理Mohit
Gupta说：“基于GF公司的最佳性能12LP+解决方案，并通过使用HBM2E来扩展SiFive公司的参考IP平台，为下一代的SoC和加速器提供了更高的性能和集成。部署高度优化的硅需要高度可定制的能力，以实现AI技术所需的每毫瓦更高的万亿次操作（TOPS）以及低延迟的性能，同时兼顾低功耗和更小的体积的需求。”

GF公司计算和有线基础设施首席技术官Ted
Letavic说：“在GF，我们继续致力于提供差异化的FinFET特定应用解决方案和IP，让我们的客户为AI应用开发性能增强的产品。借助GF公司最先进的FinFET平台和SiFive公司独特的设计方法，我们将共同开发出独特的高性能高端计算解决方案，使设计人员能够充分利用庞大的数据的优势。”

GF公司的12LP+是一种新型的针对AI训练和推理应用的创新型解决方案，能够为设计人员提供一个高速、低功耗0.5Vmin的SRAM比特单元，支持处理器和内存之间快速、高效的数据传输。此外，一种新型2.5D封装插入器将有助于将高带宽内存与处理器集成，以实现快速、高效的数据处理。

基于GF公司的12LP和12LP+的SiFive
HBM2E接口和定制IP解决方案目前正在位于美国纽约马耳他的GF公司8号工厂中开发。预计在2020上半年，客户就可以开始优化他们的芯片设计，为高性能计算和高端人工智能应用开发差异化的解决方案。（国家工业信息安全发展研究中心 刘彧宽）