[据美国电路教科书资源库官方网站12月9日报道]  12月10日，美国联合碳化硅公司（UnitedSiC）宣布推出四款全新碳化硅场效应晶体管产品UF3SC065007K4S、UF3SC120009K4S、UF3SC120016K3S和UF3SC120016K4S，其源漏极导通电阻值可低至7毫欧，并可提供前所未有的超高性能和效率，适用于电动汽车逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。四款全新UF3C系列碳化硅场效应晶体管器件包括一款额定电压为650伏特、导通电阻7毫欧的产品，其余三款产品的额定电压值均为1200伏特，导通电阻值分别为9毫欧、16毫欧和16毫欧。所有器件都采用通用型TO247封装。

新型碳化硅场效应晶体管整合了第三代高性能碳化硅结型场效应晶体管和共源共栅优化的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管，这种电路配置能够以常见的封装形式创建更加快速、高效的器件，但栅极电压驱动仍与硅基绝缘栅双极型晶体管、硅基金属氧化物半导体场效应晶体管和碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管相同。此外，为优化高温运行性能，新产品还采用了烧结银技术为TO247封装提供低热阻安装。

新产品实现了同类产品中最低的导通电阻值，所具备的标准驱动特性和通用封装意味着它们可以在各种应用场景直接替代效率较低的器件，且只需极少或无需进行额外的设计工作。（国家工业信息安全发展研究中心 李铁成）